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2014年07月03日 11:15
エナジーハーベスティング
私たちの身の回りには化石エネルギー以外のクリーンなエネルギー源となるものが豊富にあります。太陽光エネルギーを半導体を使って光電変換し電力を得る太陽光発電が世界規模で普及し始めています。太陽光以外にも、室内蛍光灯の明かり、携帯電話の待ち受け時の電波、人が歩く振動などから微弱な電力を回収することをエナジーハーベスティングといいます。例えば皆さんが携帯電話でメールをする時、ボタンを押す力を電力に変換して無線で信号送信することも可能になります。携帯電話のバッテリー切れの心配も無くなります。
中村研究室ではグリーン材料酸化物半導体とカーボンコンポジットナノ結晶の基礎研究を進めながら自己電力回収型の新
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2014年07月03日 11:14
ナノカーボン
グラファイト（黒鉛）は炭素だけで構成される物質の一つで、六角形の網目状に結合した炭素原子の層が積み重なった層状構造材料です。このグラファイトの1層を単離したものがグラフェンと呼ばれ、世の中で最も薄い薄膜であり、強くて硬く、電子の移動度が最も高い優れた電子デバイス材料になると期待されています。このグラフェンのシートが丸まった構造をカーボンナノチューブと呼んでいます。
次世代電子デバイス材料への期待、学術的には相対論的量子物理学で説明された物理現象をグラフェンを使って調べられています。しかしながら、任意の面積、層数、場所にグラフェンを生成して初めて実用化へつながります。
中村研究室では、ボト
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2014年07月03日 11:13
ZnO系混晶エピタキシャル成長
酸化亜鉛（ZnO）系酸化物半導体の結晶成長は有機金属気相成長（MOCVD）法を用います。この方法は半導体レーザー等の生産に用いられている主に化合物半導体薄膜の成長法です。原料ガスは主に液体の有機金属を使い、キャリアガスでバブリングして気体として反応室に供給します。原料ガスは加熱された基板上で分解し、薄膜が成長します。
中村研究室では成長時にプラズマで発生する中性ラジカルを半導体成長領域に照射し、励起されたラジカルのエネルギーにより原料ガスを分解し、低温での成長を可能としています。そのため、蒸気圧差の大きい構成元素を含む化合物の組成制御や窒素などの分解しにくいガスを使ったドーピングなどが実現
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