ZnO系混晶エピタキシャル成長
2014年07月03日 11:13
酸化亜鉛（ZnO）系酸化物半導体の結晶成長は有機金属気相成長（MOCVD）法を用います。この方法は半導体レーザー等の生産に用いられている主に化合物半導体薄膜の成長法です。原料ガスは主に液体の有機金属を使い、キャリアガスでバブリングして気体として反応室に供給します。原料ガスは加熱された基板上で分解し、薄膜が成長します。
中村研究室では成長時にプラズマで発生する中性ラジカルを半導体成長領域に照射し、励起されたラジカルのエネルギーにより原料ガスを分解し、低温での成長を可能としています。そのため、蒸気圧差の大きい構成元素を含む化合物の組成制御や窒素などの分解しにくいガスを使ったドーピングなどが実現されています。